Многослойная память требует минимум энергии

Группа исследователей из России и Франции возглавляемым Никола Терселеном и в. Л. Преображенским разработала материал, который сильно сократит затраты энергии при записи и считывании информации, - магнитоэлектрическое запоминающее устройство с произвольным доступом (magnetoelectric random access memory, MELRAM). По информации ученых, запись или считывание 1 бита информации будет требовать 1 аттоджоуля энергии, что в разы меньше нынешней энергопотребности запоминающих устройств.

помимо этого, носители, изготовленные из этого материала, в потенциале имеют возможность решить еще одну проблему: в нынешних носителях теряется 99 % потребляемой энергии в форме тепла. Современные технологии позволяют разместить в крохотном чипе миллиарды транзисторов, однако в какой-то момент размещение большего числа триодов для большей продуктивности станет невозможным - именно за счет дополнительного, нежелательного выделения тепла.

Суть открытия - в комбинации магнитоэлектрической и пьезоэлектрической части материала. Магнитоэлектрик показан сочетанием оксида тербия с оксидом кобальта и оксида железа с оксидом кобальта; несколько перемежающихся слоев такого магнитоэлектрика накладываются на сегнетоэлектрический релаксор (оксид свинца-магния-ниобия, знаменитый чрезвычайно широкой областью фазового перехода), который имеет свойство менять форму под внешним воздействием.

Как заявляет врач физико-математических наук в. Л. Преображенский из Института общей физики имени Прохорова, магнитоэлектрически-пьезоэлектрический многослойный материал обеспечивает значительное магнитоэлектрическое сотрудничество при комнатной температуре, что и дает возможность сильно уменьшить траты энергии.